模拟cmos集成电路设计(《模拟cmos集成电路设计》)
大部分电路都可以由coms来集成的。
双极型集成电路。cmos逻辑门电路由双极型集成电路和互补金属,氧化物,半宇体门电路构成的集成电路。
在集成电路领域,特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中,特征尺寸典型代表为“栅”的宽度,也即MOS器件的沟道长度。一般来说,特征尺寸越小,芯片的集成度越高,性能越好,功耗越低。特征尺寸(沟道长度)的缩小虽然有明显的好处,但是也会带来一系列负面效应,统称为“短沟道效应”。
根据MOS-FET的原理,在栅极加上一定电压后能促成沟道的形成,沟道形成后载流子能在两个有源区之间流动,就形成电流,相当于开启了晶体管。